FOREXBNB获悉，有媒体援引知情人士透露的消息报道称，HBM存储领域的超级霸主SK海力士(SK Hynix)正受到全球大型科技公司们的“另类”积极争抢——微软、谷歌以及亚马逊等全球最大规模云计算巨头们史无前例地提出大规模投资其新生产线并计划亲自出资购买包括阿斯麦光刻机、最先进HAR刻蚀与薄膜沉积设备等愈发昂贵的芯片制造设备来扩张产能的协同方案，以在它们争相确保HBM、DRAM/NAND存储芯片供应之际长期锁定尽可能多的产能与供给。
这种报价与投资产能的方式在全球存储芯片行业前所未有，凸显出全球范围内该类型组件短缺的极其严重程度;在无与伦比的人工智能热潮推动算力基础设施需求激增之际，存储芯片制造商们普遍难以跟上指数级扩张的需求步伐。存储芯片可谓是全球范围正在大规模新建的超大型AI数据中心，以及智能手机、个人电脑、可穿戴电子设备和其他电子产品领域的最为关键部件。
无论是谷歌无比庞大的TPU AI算力集群，抑或天量级别英伟达AI GPU算力集群，均离不开需要全面集成搭载AI芯片的HBM存储系统，叠加当前科技巨头们加速新建或扩建AI数据中心必须大规模购置服务器级别DDR5存储以及企业级高性能SSD/HDD;而三星电子、SK海力士以及美光科技正好同时卡在这三块最核心存储领域：HBM、服务器高性能DRAM(包括 DDR5/LPDDR5X)、以及高端数据中心级别SSD，是“AI内存+存储堆栈”里最直接的受益势力，可谓吃到AI基建浪潮的“超级红利”。
对于DRAM/NAND存储芯片价格涨势，华尔街金融巨头高盛最新判断是——2026年存储涨价幅度将远超该机构此前给出的乐观预期，高盛近日将DRAM存储芯片价格涨幅预测从约150%大幅上调至250%—280%，NAND价格涨幅预测从约100%上调至200%—250%。也就是说，高盛认为这不是普通库存修复周期，而是AI算力驱动的史无前例需求激增、制造与封装工艺极度复杂的HBM愈发挤占产能、通用DRAM/NAND供给弹性不足共同造成的“超级供给紧缺周期”。
GPU负责生成智能，HBM/DRAM负责高速喂数，企业级NAND/eSSD负责热数据与缓存，而HDD负责天量级别的冷/温数据的长期留存，因此高盛认为云计算巨头们主导的AI算力军备竞赛正在把存储芯片从周期品推成稀缺战略资产，2026年DRAM/NAND涨价不是尾声，而可能是超级周期的初步阶段。
SK海力士成AI军备竞赛关键闸口
根据媒体最新报道，六名知情人士表示，该公司(SK海力士)的最大规模客户们一直在向这家韩国芯片制造巨头提出一系列前所未有的报价模式，其中就包括投资专用存储芯片生产线——即整条存储产线属于某个大客户。
其中三名知情人士表示，另一项提议涉及由客户们为半导体制造设备采购提供巨额资金支持，例如阿斯麦的极紫外EUV光刻机或者更加昂贵的high-NA光刻机;这些设备用于在硅晶圆上打印电路、刻蚀、沉积薄膜、CMP等一系列全球最前沿的芯片制造工艺，价值达数十亿美元。
但其中两名人士表示，这家韩国芯片制造商现金流非常充裕，对于接受客户的财务与投资承诺持谨慎态度，因为这类交易可能使其受制于特定的某位买家，并可能进一步要求其以相比于市场价格而言的较低价格供应存储芯片，以换取更长期、更稳定的营收保障。
一名消息人士表示：“无论它们的报价类型如何，目前可用的存储产能基本为零。”“甚至连一小部分可以指定给某个特定客户的额外产能都没有。”
还有知情人士表示，有一项提议针对的是SK海力士正在韩国龙仁芯片产业园区建设的一座大型晶圆厂的一期工程，该芯片制造工厂很可能将以动态随机存取存储器(即DRAM芯片产品)为产能重点。
这些报价模式的细节是首次被报道。SK海力士及其主要竞争对手三星电子和美光科技均表示，它们正在与大型客户们洽谈多年期供应合同，但没有提供具体的协议细节。媒体引用的消息人士拒绝透露身份，因为讨论属于保密性质。
SK海力士发言人则拒绝提供其与客户们之间合同条件的任何细节，但表示：“我们正在全面审查不同于传统长期协议的各种报价方式和结构性替代方案。”
这家公司按市值计是亚洲第三大公司，仅次于台积电和三星;得益于投资者们对AI基建疯狂浪潮所驱动的存储超级周期的押注不断增加，其股价今年已大幅上涨154%，创下纪录高位。
截至周五韩国股市常态交易收盘，三星电子市值稳定于1万亿美元之上。三星电子在周三可谓迎来里程碑时刻，年初迄今涨幅约80%，市值站上1万亿美元，成为继台积电之后第二家市值达到1万亿美元水平的亚洲企业。
AI训练工程更依赖大规模并行计算，而推理尤其是长上下文、多轮对话、Agentic AI工作流，需要持续保存KV Cache、上下文状态和中间结果;内存/存储空间不足时，模型不得不重复计算历史状态，GPU利用率下降、token生成成本上升。因此，HBM、DDR5、LPDDR、企业级SSD乃至HDD/数据湖，正在形成一条从GPU近端到远端存储的“AI记忆链”，决定AI系统的吞吐、延迟、并发能力和单位token经济性。这也是为什么美光、三星、SK海力士、闪迪、西部数据等存储与数据存储股出现联动狂飙：需求不是只集中在HBM，而是沿着AI服务器架构向DRAM、NAND、SSD和HDD全链条外溢。
在这一轮由史无前例AI基建狂潮驱动的所谓“存储芯片超级周期”背景之下，总部位于韩国的两大超级存储芯片巨头——三星电子与SK海力士合计占韩国Kospi综合指数近50%权重的超级权重股，可谓是吸引全球资金的最强引擎，同时也是助力韩国股市屡创新高且大幅跑赢全球股票市场的最核心驱动力。韩国股市基准股指——Kospi综合指数2026年迄今涨幅已经超越去年领跑全球股票市场的76%狂野涨幅，但是与2025年全年截然不同的是，超越2025年全年76%涨幅的2026年从年初迄今还不到五个月。
目前尚不清楚哪些全球科技巨头正向SK海力士提出投资报价模式，但是有知情人士表示这些大型客户包括但不限于Alphabet旗下谷歌(GOOGL.US)、Facebook母公司Meta(META.US)以及微软(MSFT.US)在内的美国主要云计算与科技领军公司——这些科技巨头们在上周密集公布了大幅提高AI算力基础设施支出的计划。
Meta在财报电话会议上表示：“我们正在积极投资，以满足我们的算力基础设施需求。”并补充称，这包括“在整个供应链中达成一系列交易，以确保未来产能所需的必要AI组件。”
微软管理层也在电话会议上表示，预计今年整体资本支出将大幅升至1900亿美元，其中包括因芯片等组件成本上升而额外产生的250亿美元支出。
创纪录的景气度上行周期
已向SK海力士提出的这些报价，对于存储芯片行业而言可谓极不寻常。该行业历来以极端的繁荣—萧条周期著称，而这些报价正促使存储芯片制造商们相信，本轮强度已经超过2018年存储芯片超级周期的创纪录存储景气度上行周期将会持续更久。
SK海力士和三星电子管理层上月曾表示，当前存储芯片供应短缺将长期持续，因为芯片制造商需要更长时间建设额外的供给与产能，以跟上AI算力需求的“指数级增长”。
SK海力士当时表示：“由于当前供应受限，在满足所有客户要求方面存在重大限制。”并补充称，客户们为确保供应量而提出的长期供需合同需求正在急剧增加。
存储芯片制造商们近年来一直表示，多年期合同将有助于平滑需求剧烈波动，并降低这个周期性行业的巨额投资风险;该行业往往需要数十亿美元的投资来显著扩张产能。
史无前例的AI基建浪潮与存储超级周期，可谓把半导体推入了一个更“材料密集、过程控制密集、封装工艺前移”的新阶段：逻辑侧三维结构与新材料叠加、存储侧HBM堆叠与互连升级、封装侧CoWoS/混合键合把系统性能转化为制造难度——这三股力量共同提高了沉积/刻蚀/CMP/先进封装/核心量测等关键环节的价值密度，并且把半导体设备相关需求从“周期波动”更明显地改写为“结构性大扩张周期”。
存储芯片扩产中最关键的半导体设备底座，不仅包括阿斯麦光刻机，还包括围绕HBM/DRAM/NAND 所需的高深宽比(HAR)刻蚀/沉积、CMP(化学机械抛光)、计量/检测以及混合键合(hybrid bonding)等昂贵高端设备。
在芯片厂无处不在的半导体设备巨头应用材料(AMAT.US)，在其最新的技术解读中指出HBM制造流程相对传统DRAM额外增加约19个材料工程步骤，并声称其最先进的半导体设备覆盖其中约75%的步骤，同时也重磅发布面向先进封装/存储芯片堆叠的混合键合系统，因此HBM与先进封装制造设备可谓是该公司中长期的强劲增长向量。
但芯片行业高管、投资者和分析师们普遍表示，如何确保客户不取消交易，以及如何以有利方式为存储芯片定价，仍然存在一系列悬而未决的问题。
三星表示，与以往长期协议不同，其最近与部分客户签署的协议是“有约束力的”，但没有提供更多细节。
一名听取过芯片制造商们内部简报的消息人士表示，芯片制造商与最大客户之间作为长期协议一部分讨论过的一种结构，涉及价格区间机制;该机制将为年度合约定价设定下限和上限，并实际上取消季度或季节性价格谈判。
另一种被芯片制造商们内部讨论过的结构涉及预付款，要求客户预先支付30%至40%的现金。不过，另一名消息人士表示，芯片供应商在如何分配稀缺产能方面行事非常谨慎，以避免反垄断监管审查，或避免被认为偏袒特定客户。“他们不想在AI竞赛中‘单独押注一匹马’，最后押错了对象，”这名知情人士表示。
