集邦咨询：DDR5高获利放大产能排挤效应 2026年HBM3e定价动能同步转强

存储器市场供需变化导致DRAM价格攀升，HBM3e与DDR5价格差距缩小

根据TrendForce集邦咨询的最新调查，近期存储器市场供不应求的状况导致一般型DRAM（Conventional DRAM）价格急速上升。尽管HBM3e因GPU和ASIC订单增加而价格上涨，但预计未来一年内HBM3e和DDR5的平均销售价格（ASP）差距将明显缩小。

2025年5月，NVIDIA（英伟达）与三大DRAM供应商就2026年的采购进行了协商。在买方市场主导定价的情况下，2026年HBM3e的初始采购单价较2025年有所下降。

然而，2025年第三季度存储器市场供需迅速反转。AI相关的服务器布局需求超出预期，导致主要云端服务供应商（CSP）扩大了Server DDR5的备货，并制定了2026-2027年的采购计划，形成了市场缺货格局。因此，DRAM供应商大幅提高了产品售价。TrendForce集邦咨询指出，2025年第四季度Server DDR5合约价的季度增幅度已远超市场预期，其晶圆获利也将转强，与HBM3e的价差将快速缩小。原本HBM3e价格高出Server DDR5四至五倍，预计到2026年末，这一差距将缩小至一至二倍。

产能调整与需求变化

随着Conventional DRAM获利逐步上升，部分供应商开始将产能倾向于DDR5，为HBM3e提供了更大的涨价空间。在GPU与ASIC需求上调后，主要买家纷纷追加HBM3e采购以应对来年的AI系统建设。综合以上因素，供应商重新获得了定价主导权，并开始调整先前过低的合约价，预计2026年HBM3e的整体ASP将略微上修。