群智咨询：2026年第一季度存储价格超预期上涨 NAND环比涨幅突破70%

2026年一季度存储价格风向标：AI算力需求推动价格上涨

根据群智咨询发布的2026年一季度存储价格风向标，全球存储芯片市场在AI算力需求与消费电子供需格局的双重作用下，价格超预期上涨，结构性分化加剧。AI服务器需求的持续强劲和消费端需求的不确定性增强，导致存储原厂将产能优先向HBM、DDR5等高利润产品倾斜，消费电子用DRAM与NAND供应规模进一步收缩。存储厂商与终端厂商的库存水位持续处于低位，补库存需求强烈，进一步放大了市场供应紧张缺口。2026年第一季度存储价格涨幅超预期，消费电子存储价格环比2025年第四季度涨幅超60%，NAND环比涨幅更是突破70%。

DRAM价格趋势

2026年第一季度，以LPDDR4X/LPDDR5X为主的消费电子DRAM合约价环比大幅提升，手机应用端DRAM合约价环比上涨60%-70%，涨势远超市场预期。AI服务器需求带动HBM及DDR5等高带宽内存需求持续旺盛，消费电子中高端产品难以大幅下调存储规格，降规会显著影响用户体验，因此整体容量需求刚性较强，难以通过降规缓解成本压力。存储原厂持续优化产能配比，随着HBM4量产更多产能向HBM倾斜，进一步压缩了消费端DRAM的供应规模。同时，原厂库存水位处于历史低位，产能扩产存在周期性滞后，短期内难以弥补供应缺口。

整体来看，DRAM供应短缺问题短期内难以缓解，一季度涨幅扩大，二季度将维持上涨趋势。

NAND价格趋势

群智咨询预计，2026年第二季度，消费电子终端NAND价格将延续上涨态势，手机应用端NAND价格环比上涨40%-45%，消费级SSD价格环比上涨35%-40%，相比一季度手机应用端的NAND季度涨幅65%-70%要收敛。UFS、eMMC及消费级SSD价格均显著上涨，消费级SSD涨幅尤为突出。头部存储厂商优先将3DNAND先进制程产能分配给企业级eSSD等高利润产品，消费电子用NAND产能供应受到明显排挤。同时，主流厂商产能利用率已处于满载状态，难以快速释放额外产能。

群智咨询认为，AI驱动的产能结构性倾斜趋势难以逆转，新产能释放存在周期性滞后，消费电子终端用NAND供需缺口难以得到实质性缓解，价格将延续上涨态势。