群智咨询：预计二季度Memory价格继续上行 DRAM价格分化 NAND涨势延续

2026年第二季度全球Memory市场供需短缺，价格显著分化

根据群智咨询的最新报告，2026年第二季度全球Memory市场继续经历超级存储周期，供需短缺成为全季度的主旋律，价格分化特征显著。AI算力需求成为产能分配的主要因素，导致消费电子用DRAM与NAND供应紧张状况未得到缓解。

DRAM价格趋势分析

2026年第二季度DRAM价格延续上涨趋势，其中LPDDR4X/LPDDR5X为主的消费电子DRAM合约价保持强劲上涨，手机应用端DRAM合约价环比上涨约90%，而DDR4合约价涨幅放缓至约50%。

需求端分析：AI服务器的“虹吸式”需求是市场变化的核心驱动力，高带宽内存需求旺盛。中高端终端产品对性能和体验的追求使得DRAM需求刚性，而低端消费电子市场对价格敏感，价格上涨抑制了需求。

供应端分析：高附加值内存产品量产导致生产难度增加，单位晶圆产能消耗显著，压缩了消费端DRAM产能。存储原厂库存处于历史低位，扩充产能能力有限，优先满足AI客户需求，进一步收紧消费端DRAM供应。

整体来看，本季度DRAM供需短缺问题严峻，价格持续上涨但分化加剧，DDR品类涨幅收窄，LPDDR品类维持高幅度补涨。

NAND价格趋势分析

群智咨询预计2026年第二季度NAND闪存价格延续上涨势头，供给缺口显著扩大，手机应用端NAND价格环比上涨约100%，消费级SSD价格环比上涨约54%。

需求端分析：AI算力需求高速增长背景下，高附加值NAND产品在产能分配中优先保障，订单增长未放缓，加剧消费级NAND市场紧张。中高端终端产品对NAND需求刚性强，难以降低配置，稳固消费端需求。部分消费级NAND产品与AI产品制程重叠，导致供给缺口明显。

供应端分析：头部存储厂商优先将先进制程产能分配给AI产品，消费电子用NAND产能受到排挤。主流厂商产能利用率已达满载，难以快速释放额外产能，供应紧张态势持续。

群智咨询认为，短期内AI驱动的产能结构性倾斜趋势难以逆转，消费电子终端用NAND供需缺口难以实质性缓解，价格将继续保持强劲上涨态势。