群智咨询：Q2存储市场延续短缺格局 消费端DRAM/NAND价格大幅上涨

2026年第二季度全球Memory市场供需短缺，价格分化显著

根据群智咨询的最新报告，2026年第二季度全球Memory市场继续处于超级存储周期，供需短缺状态持续，价格分化特征突出。新一代GPU的量产出货推动了HBM4和LPDDR需求增长，同时服务器对eSSD的需求大幅增长，导致DRAM与NAND供应紧张，价格维持大幅度上涨。

DRAM市场分析

2026年第二季度DRAM价格延续上扬走势，但第三季度涨幅收敛。

消费电子DRAM：以LPDDR4X/LPDDR5X为主的消费电子DRAM合约价格保持强劲上涨态势。4GB的LPDDR4X第二季度环比第一季度上涨了75%。然而，内存价格的攀升对消费电子市场需求造成较大冲击，部分品牌客户开始削减订单数量，可能抑制下半年消费端DRAM价格上涨幅度。

通用服务器DRAM：通用服务器DRAM的涨幅领先，渠道库存维持低位，云厂商不断补充库存，价格维持上涨行情。

AI服务器/HBM：HBM作为AI领域的核心产品，产能被厂商优先保障供应，价格通过年度合同锁定，2026年全年保持稳定。

从供需两端及长期趋势看，2026年第二季度DRAM市场呈现上涨态势，但上涨幅度呈现分化。需求端，AI服务器强劲需求拉高了高带宽内存需求，而消费电子领域需求两极分化。供应端，高附加值内存产品量产，其复杂工艺加大生产难度、增加晶圆产能消耗，且原厂库存低、扩产能力有限并优先保障AI客户，导致消费端DRAM产能被挤压、供应紧张。整体上，本季度DRAM供需短缺严峻，价格持续上涨但分化明显。

NAND市场分析

预计2026年第二季度，NAND闪存市场将延续此前的上扬态势，价格涨势愈发凌厉。根据群智咨询的数据，26年第二季度SSD环比第一季度涨幅约为50%，而移动端UFS季度涨幅环比扩大到约100%。

在服务器/AI eSSD领域，AI集群与智能体服务器的存储容量大幅提升，服务器异构技术架构强化了动态数据存储的性能、容量的需求，极大地刺激了数据存储需求的增长。企业级NAND作为满足此类需求的关键存储介质，其需求展现出极强的增长。无论市场价格如何波动，企业级NAND的采购需求始终居高不下，促使其价格大幅攀升。

反观PC/智能手机等消费电子NAND市场，尽管价格同样有所上涨，但其背后却隐含复杂态势。由于消费电子市场的NAND供应遭到挤压推动价格走高。然而，由于本地存储的需求依然增长，以及供应端收缩低端NAND供应（如：小容量eMMC），使得消费端存储NAND的需求较难下降。

综合来看，2026年第二季度NAND闪存市场受服务器/AI eSSD需求驱动，需求刚性支撑价格强势上扬；而PC/智能手机NAND市场虽价格上升，但因供应挤压、价格过高抑制需求等因素，未来价格涨幅面临收敛压力。这不仅反映出AI技术对NAND市场需求结构的深刻重塑，也凸显了不同市场领域在供需关系变化下的不同走向，预示着市场正处于动态调整与平衡的过程中。