韩国存储双雄开启千亿美元级别产能扩张狂潮! 半导体设备站上AI算力短缺超级风口

韩国存储芯片巨头三星电子与SK海力士计划宣布巨额投资，全球半导体设备市场迎来超级周期

根据韩国媒体的最新报道，全球存储芯片领域的两大巨头——三星电子和SK海力士，正准备在下周一宣布价值数千亿美元的新一轮投资计划，以大幅扩张HBM/DRAM/NAND存储芯片产能及建设大型数据中心或产业园区。

美国存储芯片巨头美光科技公布的最新财报显示，公司将2026财年资本开支计划上调50亿美元至250亿美元，这一扩张迹象凸显出半导体设备巨头们正进入由AI芯片与存储芯片大规模扩产驱动的新一轮超级增长周期。

从扩产工程逻辑来看，阿斯麦EUV/DUV光刻机是先进逻辑芯片、AI加速器、HBM相关的高端DRAM制程继续缩微和提升良率的关键工具。AI芯片短缺、HBM/DRAM紧张、NAND需求结构性抬升，本质上都指向AI算力基础设施供给瓶颈与约束。华尔街分析师们认为这种供给瓶颈正在把半导体设备链从“周期复苏交易”重新定价为“AI算力资本开支超级周期交易”。

三星集团未来十年投资计划

韩国《每日经济新闻》报道称，三星集团将公布未来十年规模达1000万亿韩元（约6460亿美元）的支出计划，其中包括可能斥资300万亿韩元在韩国西南部建设芯片工厂，这将成为韩国历史上规模最大的此类支出计划。

青瓦台一名高级发言人表示，韩国总统李在明将于周一主持“关于大韩民国实现伟大跃升的三大超级项目国家简报会”，并补充称更多细节将在当天公布。

韩国总统政策室长Kim Yong-beom表示，当总统于6月29日主持会议并且讨论大型企业投资计划时，将公布“非常不同寻常”的数字。该活动将聚焦半导体产能、AI数据中心建设进程和物理AI等关键前沿技术领域。

SK海力士与三星电子的扩张计划

SK海力士已暗示计划投入巨额资金以全面扩大HBM/DRAM/NAND存储芯片产能，并竭尽全力满足全球人工智能行业和更广泛科技行业在AI基建大浪潮之下对存储芯片的爆炸式需求。该公司计划在美国股票市场上市融资290亿美元，此前SK集团董事长崔泰源表示，他打算在未来五年将存储芯片产能翻倍。

三星电子与SK海力士一样，在近几个季度因存储芯片需求蓬勃增长而公布创纪录的销售额和营业利润数据，同时还表现出在全球AI算力基础设施领域发挥更大作用的产能扩张兴趣。

SK海力士与三星电子以及总部位于美国的美光科技共同主导着全球存储芯片市场供需格局，并且一直是人工智能训练/推理算力需求指数级扩张驱动的数据中心建设繁荣的最主要受益群体。这两大韩国存储芯片巨头都将英伟达列为其最大规模客户之一。

半导体设备市场展望

对半导体设备厂商们而言，存储芯片扩产不是简单多建几条生产线，而是斥巨资新建更多数量洁净室，以及HBM、先进DRAM、企业级SSD、3D NAND和先进封装需求共同拉动对于光刻、刻蚀、沉积、量测、材料工程和先进封装设备的史无前例强劲需求。

华尔街金融巨头富国银行最新发布的研究报告显示，受益于3nm、2nm乃至更先进芯片制程产能扩张以及CoWoS/3D先进封装产能、DRAM/NAND存储芯片产能扩张大举加速，半导体设备板块的长期牛市逻辑可谓越来越坚挺。富国银行表示，包括阿斯麦、应用材料、泛林以及科磊在内的全球半导体设备制造商们第二季度业绩将继续表现积极，同时将其对于2027年晶圆厂整体设备支出的预期从此前约1800亿美元上调至约1900亿美元。

花旗表示，在乐观情景下预计全球WFE市场规模将从2026年的约1450亿美元升至2027年的2000亿美元、2028年的2500亿美元。