报道：三星电子第三季度DRAM价格将上调至多20%

三星电子引领内存价格新一轮上涨，AI基础设施投资推动需求增长

三星电子正在推动内存价格的新一轮上涨。据ZDNet周五报道，韩国业界消息透露，三星电子正在就第三季度通用DRAM的平均售价（ASP）与客户进行谈判，目标涨幅最高可达20%。此外，公司还计划将低功耗DRAM（LPDDR）的价格上调20%以上，这种内存在服务器和移动端都面临供应瓶颈，显示了三星在价格谈判中的强硬立场。

全球科技巨头对AI基础设施的持续投资推高了服务器DRAM、高带宽内存（HBM）及LPDDR的整体需求，供给紧张的态势短期内难以缓解。尽管预计后续涨价幅度将有所收窄，但业界人士认为，三星电子等内存厂商有望将高盈利水平延续至明年。

三星涨价节奏领先同业

三星电子今年以来的DRAM ASP涨幅远超同业。根据业界数据，第一季度其DRAM ASP较上季度上涨约90%，第二季度涨幅约为50%至60%，第三季度目标涨幅约为20%。相比之下，HBM生产占比较高的SK海力士涨价幅度预计低于三星。业界普遍认为，这一差异源于两家公司产品结构的不同——三星通用DRAM占总产量比重较高，价格弹性更大，且在推动涨价方面态度更为积极。

一位半导体业界人士表示：“三星电子在第三季度的价格谈判中态度非常强硬，但客户是否能够全盘接受，目前尚无定论。”

长期供应协议锁定价格底线

即使阶段性涨价势头趋缓，DRAM价格中期走势仍有结构性支撑。业界人士指出，核心客户与内存厂商之间的长期供应协议（LTA）签约比例正在持续扩大，价格下行风险因此受到有效抑制。

美光上月末在业绩发布会上披露，公司已与客户签订共16份长期供应协议。据悉，上述协议不仅对购买量具有约束力，还设定了保障高利润水平的价格下限。这一动向反映出客户对中长期内存供给持续偏紧的预判。

Meta云业务计划不构成需求利空

市场此前曾有声音认为，Meta推进云服务商业化、向外部出售内部剩余算力，或意味着其AI产能已趋于饱和，可能对内存需求产生负面影响。然而，Meta今年4月已将全年AI基础设施投资计划从此前的1150亿至1350亿美元上调至1250亿至1450亿美元，持续扩大资本支出的方向未变。

另一位业界人士表示：“更准确的理解是，Meta此举是为了更高效地利用内部算力资源，而非释放产能过剩信号。价格下限LTA扩大、HBM价格重新谈判等因素叠加，明年DRAM市场大幅下行的可能性很低。”

本文转载自“华尔街见闻”，FOREXBNB编辑：陈思宇。