HBM4E 交付战打响！SK海力士跟进三星出货步伐，交付12层HBM4E样品

SK海力士交付12层HBM4E样品，与三星电子和美光科技竞争加剧

全球领先的内存芯片制造商SK海力士宣布，已向全球主要客户交付其最新高带宽内存(HBM)芯片——12层HBM4E的样品。SK海力士是英伟达HBM芯片的主要供应商，与三星电子和美光科技在HBM领域展开竞争。HBM芯片被广泛应用于AI处理器的制造中。

SK海力士表示，得益于公司在HBM领域的先进研发与生产技术，12层堆叠HBM4E的样品得以按期交付，并与合作伙伴紧密合作以确保及时实现量产。12层HBM4E在性能和功耗效率方面均有所提升，单引脚最大数据处理速度达到16 Gbps，功耗效率较前代机型提升了20%以上。这些改进提升了AI训练和推理的数据处理能力，同时耐热性能提升了17%，使内存芯片能够在高性能计算环境中稳定运行。

HBM4E样品交付战打响

HBM4E是第七代HBM，预计SK海力士的HBM4E将被用于英伟达的下一代AI加速器“Rubin Ultra”中，该加速器计划于明年发布。SK海力士将在其HBM4E核心芯片上采用1c纳米工艺，基础裸片则由台积电采用3纳米工艺生产。

在HBM市场，样品交付的时机至关重要。由于下一代HBM是根据客户的具体要求定制生产的，更快的样品交付速度可以让客户更快地验证性能并完成优化，从而在最终的量产竞赛中占据优势。三星电子已于5月29日宣布，已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品，并计划根据客户的进度安排开始批量生产HBM4E。

美光科技的HBM4产能爬坡进展顺利，计划于2027年量产HBM4E，其HBM4E将采用10纳米级第六代1γ工艺，这是美光首次在量产工艺中引入EUV光刻设备，基础裸片将委托台积电制造。

TrendForce指出，三大供应商正逐步将产业重心由良率竞争转向定价权与下世代规格主导。尽管传统DRAM利润率短期反超HBM，供货商仍维持均衡产品组合，并看好HBM长期合约价走高。当前除HBM以外的各类DDR及消费级存储，历经前期多轮涨价后价格已整体处于相对高位，而HBM的涨价红利尚未充分释放。