存儲設備價格飆升：AI需求激增與供應受限導致市場緊張

近期，固態硬盤（SSD）、動態隨機存取內存（DRAM）和機械硬盤（HDD）的價格快速上漲，這是由於人工智能（AI）需求的激增和供應受限共同作用的結果。幾乎所有分析公司和內存製造商都在警告，NAND閃存和DRAM內存即將出現短缺，預計未來數月乃至數年，相關產品價格將大幅上漲，部分機構預測短缺可能持續十年。

市場反轉：從供應過剩到短缺

2022年至2023年初，內存製造商因行業低迷而陷入困境，NAND閃存與DRAM內存均低於成本價銷售，庫存大量積壓。製造商爲減少損失而減產，導致2023年下半年512Gb TLC NAND閃存芯片現貨價格在六個月內上漲超100%。這種價格反彈很快反映在零售市場上，例如西部數據2TB Black SN850X固態硬盤售價突破150美元，三星990 Pro 2TB固態硬盤價格從約120美元飆升至175美元以上。

DRAM內存市場的趨勢比NAND閃存晚一個季度，但走勢相似。2023年DDR4內存模塊因生產線減產而供應緊張。預計2025年第三季度消費級DDR4內存價格將環比上漲38%-43%，服務器級DDR4內存價格也將環比上漲28%-33%。

機械硬盤也面臨供應限制，西部數據通知合作伙伴，因供應有限，將把機械硬盤價格上調5%-10%。市場研究機構集邦諮詢指出，數據中心使用的大容量近線機械硬盤出現短缺，迫使部分工作負載轉向閃存，進一步加劇了NAND閃存的供應緊張。

人工智能的“無盡需求”：本輪短缺的核心推手

本輪內存市場週期的核心驅動力是人工智能。訓練與部署大型語言模型需要海量內存與存儲支持，一個訓練集羣中的單個GPU節點可能消耗數百GB的DRAM內存和數TB的閃存存儲。OpenAI的Stargate項目已與三星、SK海力士簽署協議，每月採購多達90萬片DRAM晶圓，佔全球DRAM內存產量的近40%。

雲服務提供商的行爲也類似，高密度NAND閃存產品已提前數月售罄。三星下一代V9 NAND閃存訂單幾乎滿額，美光科技2026年底前的高帶寬內存（HBM）產量也已幾乎全部預售完畢。

價格上漲的連鎖反應：消費者端亦難倖免

供應短缺的連鎖反應已傳導至消費者市場。樹莓派因內存成本上漲，不得不在2025年10月上調產品價格，其計算模塊4與計算模塊5的4GB版本漲價5美元，8GB版本漲價10美元。樹莓派首席執行官埃本·厄普頓指出：“當前內存成本較一年前上漲了約120%。”

投資重心轉移：加劇主流產品供應緊張

短缺並非單純由需求增速過快導致，供應方向的調整也是重要原因。三星、SK海力士、美光科技均已將資本支出轉向HBM與先進製程節點。這種投資轉移進一步加劇了主流產品的供應緊張，DDR4內存的減產速度超過了需求下降速度；TLC NAND閃存也因製造商將資源投向高利潤領域而面臨配額限制。

爲何不建造更多晶圓廠？多重限制下的無奈

晶圓廠確實在建設中，但這類項目成本高昂且投產週期長。一座新建內存晶圓廠造價高達數百億美元，且需要數年時間才能實現量產。製造商也警惕重蹈覆轍，若未來需求降溫或企業囤積後暫停採購，產能過剩的市場可能導致價格暴跌。地緣政治進一步加劇了這一困境，先進光刻設備出口管制、稀土元素限制等政策，使得機械硬盤晶圓廠的擴建計劃更爲複雜。

市場前景：價格高企或成常態，消費者與企業均受影響

製造商的保守策略短期內恐難改變。對消費者而言，這意味着“超低價電腦升級”時代的終結；對企業客戶而言，則需要更高的基礎設施預算。市場最終會實現再平衡，但何時實現尚無法預測。目前已有政府激勵措施支持新建晶圓廠，若未來需求增長放緩或採購停滯，市場週期可能重新轉向供應過剩。但在此之前，NAND閃存、DRAM內存、機械硬盤價格在2026年之前可能仍將居高不下。