存储设备价格飙升：AI需求激增与供应受限导致市场紧张

近期，固态硬盘（SSD）、动态随机存取内存（DRAM）和机械硬盘（HDD）的价格快速上涨，这是由于人工智能（AI）需求的激增和供应受限共同作用的结果。几乎所有分析公司和内存制造商都在警告，NAND闪存和DRAM内存即将出现短缺，预计未来数月乃至数年，相关产品价格将大幅上涨，部分机构预测短缺可能持续十年。

市场反转：从供应过剩到短缺

2022年至2023年初，内存制造商因行业低迷而陷入困境，NAND闪存与DRAM内存均低于成本价销售，库存大量积压。制造商为减少损失而减产，导致2023年下半年512Gb TLC NAND闪存芯片现货价格在六个月内上涨超100%。这种价格反弹很快反映在零售市场上，例如西部数据2TB Black SN850X固态硬盘售价突破150美元，三星990 Pro 2TB固态硬盘价格从约120美元飙升至175美元以上。

DRAM内存市场的趋势比NAND闪存晚一个季度，但走势相似。2023年DDR4内存模块因生产线减产而供应紧张。预计2025年第三季度消费级DDR4内存价格将环比上涨38%-43%，服务器级DDR4内存价格也将环比上涨28%-33%。

机械硬盘也面临供应限制，西部数据通知合作伙伴，因供应有限，将把机械硬盘价格上调5%-10%。市场研究机构集邦咨询指出，数据中心使用的大容量近线机械硬盘出现短缺，迫使部分工作负载转向闪存，进一步加剧了NAND闪存的供应紧张。

人工智能的“无尽需求”：本轮短缺的核心推手

本轮内存市场周期的核心驱动力是人工智能。训练与部署大型语言模型需要海量内存与存储支持，一个训练集群中的单个GPU节点可能消耗数百GB的DRAM内存和数TB的闪存存储。OpenAI的Stargate项目已与三星、SK海力士签署协议，每月采购多达90万片DRAM晶圆，占全球DRAM内存产量的近40%。

云服务提供商的行为也类似，高密度NAND闪存产品已提前数月售罄。三星下一代V9 NAND闪存订单几乎满额，美光科技2026年底前的高带宽内存（HBM）产量也已几乎全部预售完毕。

价格上涨的连锁反应：消费者端亦难幸免

供应短缺的连锁反应已传导至消费者市场。树莓派因内存成本上涨，不得不在2025年10月上调产品价格，其计算模块4与计算模块5的4GB版本涨价5美元，8GB版本涨价10美元。树莓派首席执行官埃本·厄普顿指出：“当前内存成本较一年前上涨了约120%。”

投资重心转移：加剧主流产品供应紧张

短缺并非单纯由需求增速过快导致，供应方向的调整也是重要原因。三星、SK海力士、美光科技均已将资本支出转向HBM与先进制程节点。这种投资转移进一步加剧了主流产品的供应紧张，DDR4内存的减产速度超过了需求下降速度；TLC NAND闪存也因制造商将资源投向高利润领域而面临配额限制。

为何不建造更多晶圆厂？多重限制下的无奈

晶圆厂确实在建设中，但这类项目成本高昂且投产周期长。一座新建内存晶圆厂造价高达数百亿美元，且需要数年时间才能实现量产。制造商也警惕重蹈覆辙，若未来需求降温或企业囤积后暂停采购，产能过剩的市场可能导致价格暴跌。地缘政治进一步加剧了这一困境，先进光刻设备出口管制、稀土元素限制等政策，使得机械硬盘晶圆厂的扩建计划更为复杂。

市场前景：价格高企或成常态，消费者与企业均受影响

制造商的保守策略短期内恐难改变。对消费者而言，这意味着“超低价电脑升级”时代的终结；对企业客户而言，则需要更高的基础设施预算。市场最终会实现再平衡，但何时实现尚无法预测。目前已有政府激励措施支持新建晶圆厂，若未来需求增长放缓或采购停滞，市场周期可能重新转向供应过剩。但在此之前，NAND闪存、DRAM内存、机械硬盘价格在2026年之前可能仍将居高不下。