全球芯片巨头纷纷上调产品报价，存储芯片行业迎来“超级周期”
近期，全球芯片市场出现涨价潮，特别是存储芯片领域。据央视财经报道，过去半年全球存储芯片价格持续上涨，最近一个月涨价消息更加密集。
以下是部分芯片巨头的涨价情况：
| 公司 | 产品类型 | 涨价幅度 |
|---|---|---|
| 三星电子 | DRAM | 15%-30% |
| 三星电子 | NAND闪存 | 5%-10% |
| 群联 | NAND闪存控制芯片 | 约10% |
| 西部数据 | HDD（机械硬盘） | 逐步提高 |
| 闪迪 | NAND产品 | 10%以上 |
涨价涉及的存储芯片主要包括DRAM和NAND两种类型。DRAM是一种易失性半导体存储器，读取速度快但断电后数据消失；NAND属于非易失性存储，断电后数据仍能稳定留存。
存储芯片行业迎来“超级周期”
摩根士丹利最新研报预测，在人工智能热潮下，存储芯片行业将迎来一个“超级周期”。10月1日，OpenAI与三星电子、SK海力士达成初步供货协议，两家韩国公司将为“星际之门”项目供应存储芯片。韩国总统办公室表示，OpenAI计划在2029年订购90万片存储芯片晶圆，这一需求预测是目前全球高带宽存储芯片（HBM）产能的两倍多。
在DRAM、HBM普遍昂贵且供给紧张的背景下，NAND有望成为AI时代新一轮主流存储选择。三星电子已开展HBF高带宽闪存产品的概念设计等前期开发工作，HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，使用NAND闪存代替DRAM。
摩根士丹利预计，到2026年NAND闪存将出现高达8%的供应缺口。群联电子董事长潘健成表示，SSD将成为大容量存储的主流选择，但目前与HDD对比，两者占比为2：8，由于SSD新增容量不足，预期2026年起NAND闪存将严重短缺，且未来十年供应都将紧张。
NAND Flash价格涨幅反超DRAM
据CFM闪存市场报价，2025年第三季度，NAND Flash市场综合价格指数上涨5%，而DRAM市场综合价格指数上涨19.2%。9月单月来看，NAND Flash市场综合价格指数上涨4.7%，DRAM市场综合价格指数上涨2.6%。
展望后续，TrendForce预计2025年第四季度NAND Flash价格将上涨5-10%。中信证券认为，后续数据中心eSSD涨价幅度有望超市场预期，2026年大容量QLC SSD有望出现爆发性增长。
