全球芯片巨頭紛紛上調產品報價，存儲芯片行業迎來“超級週期”
近期，全球芯片市場出現漲價潮，特別是存儲芯片領域。據央視財經報道，過去半年全球存儲芯片價格持續上漲，最近一個月漲價消息更加密集。
以下是部分芯片巨頭的漲價情況：
| 公司 | 產品類型 | 漲價幅度 |
|---|---|---|
| 三星電子 | DRAM | 15%-30% |
| 三星電子 | NAND閃存 | 5%-10% |
| 羣聯 | NAND閃存控制芯片 | 約10% |
| 西部數據 | HDD（機械硬盤） | 逐步提高 |
| 閃迪 | NAND產品 | 10%以上 |
漲價涉及的存儲芯片主要包括DRAM和NAND兩種類型。DRAM是一種易失性半導體存儲器，讀取速度快但斷電後數據消失；NAND屬於非易失性存儲，斷電後數據仍能穩定留存。
存儲芯片行業迎來“超級週期”
摩根士丹利最新研報預測，在人工智能熱潮下，存儲芯片行業將迎來一個“超級週期”。10月1日，OpenAI與三星電子、SK海力士達成初步供貨協議，兩家韓國公司將爲“星際之門”項目供應存儲芯片。韓國總統辦公室表示，OpenAI計劃在2029年訂購90萬片存儲芯片晶圓，這一需求預測是目前全球高帶寬存儲芯片（HBM）產能的兩倍多。
在DRAM、HBM普遍昂貴且供給緊張的背景下，NAND有望成爲AI時代新一輪主流存儲選擇。三星電子已開展HBF高帶寬閃存產品的概念設計等前期開發工作，HBF是一種類似HBM的專爲AI領域設計的新型存儲器架構，使用NAND閃存代替DRAM。
摩根士丹利預計，到2026年NAND閃存將出現高達8%的供應缺口。羣聯電子董事長潘健成表示，SSD將成爲大容量存儲的主流選擇，但目前與HDD對比，兩者佔比爲2：8，由於SSD新增容量不足，預期2026年起NAND閃存將嚴重短缺，且未來十年供應都將緊張。
NAND Flash價格漲幅反超DRAM
據CFM閃存市場報價，2025年第三季度，NAND Flash市場綜合價格指數上漲5%，而DRAM市場綜合價格指數上漲19.2%。9月單月來看，NAND Flash市場綜合價格指數上漲4.7%，DRAM市場綜合價格指數上漲2.6%。
展望後續，TrendForce預計2025年第四季度NAND Flash價格將上漲5-10%。中信證券認爲，後續數據中心eSSD漲價幅度有望超市場預期，2026年大容量QLC SSD有望出現爆發性增長。
