三星电子首次展示HBM5 押注下一代AI存储竞争

三星电子在Computex 2026展示HBM5原型，AI存储市场布局加速

三星电子在Computex 2026展会上首次公开了第八代高带宽存储器HBM5的原型，这标志着该公司在AI存储市场的产品布局正在加速。随着存储价格的全面上涨，市场对韩国存储厂商今年的盈利预期已经大幅上调。

三星电子首席技术官Song Jae-hyuk在展会上强调，随着AI系统的复杂性增加，全价值链的竞争力变得至关重要。HBM5的核心技术亮点是名为Heat Path Block（HPB）的热管理创新，该技术通过在半导体晶圆之间引导热量流动，有效缓解高密度堆叠芯片中的热量积聚问题，提升性能稳定性与运行可靠性。

HBM4E：速度与容量的双升级

在HBM4E层面，三星已于5月下旬向全球主要客户发货12层HBM4E样品，成为业内首家出货该产品的厂商。HBM4E的引脚传输速度稳定在14Gbps，可扩展至16Gbps，较HBM4提升逾20%，每堆栈带宽达3.6TB/s，容量48GB，较上一代增加逾30%。

三星5月29日公告显示，此次交付的12层HBM4E样品能效较上一代提升16%，热阻特性改善逾14%，有助于在高负载数据中心场景中延长可靠性并降低能耗。HBM4E与HBM4共用核心技术路径，旨在提升制程稳定性与良率。

在产品线规划上，三星除现有12层48GB版本外，后续还将推出32GB（8层）与64GB（16层）版本，以覆盖不同客户需求，量产节奏将根据客户时间表推进。

存储价格全线上涨，韩国厂商盈利预期提升

通用DRAM价格的大幅上涨显著强化了三星和SK海力士的HBM定价主导权，两家公司的盈利预期随之大幅上调。摩根士丹利预测，三星今年全年营业利润同比增幅或达464%，SK海力士增幅约280%。

三星采取审慎的产能分配策略，并未将DRAM产能过度转移至HBM，这一做法进一步支撑了HBM高价格区间的维持。据报道，三星HBM4的谈判价格已在700美元左右，较上一代HBM3E高出20%至30%。

HBM、通用DRAM及NAND闪存价格同步走高，为韩国存储厂商带来全面盈利改善预期。摩根士丹利预测，三星电子今年全年营业利润将达约245.7万亿韩元，同比增幅达464%；SK海力士全年营业利润预计约179.4万亿韩元，同比增幅约280%，两家公司的业绩改善预计将贯穿全年。