三星电子预计二季度营业利润同比飙升18倍,AI需求推动内存价格飙升
三星电子(SSNLF.US)即将公布的二季度初步业绩显示,预计营业利润同比飙升约18倍,达到86万亿韩元(约合563.5亿美元),营收预期同比大增127%至169万亿韩元,均创历史新高。这一业绩的爆炸式增长主要得益于人工智能(AI)领域对高性能内存的强劲需求,尤其是用于AI训练的高带宽内存(HBM)持续供不应求,以及传统DRAM和NAND产品需求的大幅走强。
内存价格飙升,供需紧张
根据花旗研究,二季度DRAM和NAND平均售价环比分别大涨44%和53%;汇丰估算涨幅分别超过40%和50%;KB证券的数据更为激进,认为两者环比涨幅均高达约60%,且6月内存客户需求满足率仅约50%。分析师普遍预计,内存市场的供不应求至少将持续至2027年。
| 机构 | DRAM环比涨幅 | NAND环比涨幅 |
|---|---|---|
| 花旗研究 | 44% | 53% |
| 汇丰 | 超过40% | 超过50% |
| KB证券 | 约60% | 约60% |
此外,三星电子二季度盈利中还包含了一笔可观的一次性支出,即半导体部门营业利润的10.5%作为芯片员工特别奖金,累计奖金拨备可能超过40万亿韩元,仅二季度确认的金额就可能超过10万亿韩元。
市场对需求持续性分歧加剧
尽管业绩基本面异常强劲,但市场对强劲盈利能否直接转化为股价进一步上涨的看法趋于复杂。近期全球芯片股走出了“过山车”行情,6月因担忧竞争加剧、潜在产能过剩及AI投资回报等不确定性而出现急剧回调。
需求端正浮现微妙的裂痕。一方面,随着内存价格暴涨,大客户的成本压力急剧攀升。苹果(AAPL.US)上月底全面上调了Mac和iPad等产品售价,同时被曝出首席执行官库克正亲自游说美国政府,希望获准向长鑫存储采购更廉价的内存。但这一动向遭到美国半导体工业协会(SEMI)的明确反对。另一方面,Meta(META.US)近期有关云计算扩张的计划,也令部分投资者质疑AI领域的算力支出是否已出现过度建设。
摩根大通在近期报告中点出要害:尽管内存供需基本面依然偏紧,但投资者的一大疑虑是,AI内存占云服务商资本支出的比例快速攀升——今年估计为52%,明年预计将超过70%——这种势头是否可持续。
SK海力士ADR挂牌:估值跳板还是周期见顶信号?
紧随三星业绩之后,SK海力士的美国存托凭证(ADR)将于7月10日在纳斯达克上市,交易代码为“SKHY”。据报道,SK海力士此次计划筹集约294亿美元,每份ADS定价预计在166美元左右,相当于普通股的十分之一。募资将主要用于龙仁半导体集群和清州先进封装工厂等设施。
乐观者认为,ADR上市将极大提升美国投资者对SK海力士的投资便利性,有助于消除其相较美光(MU.US)的估值折价。目前SK海力士12个月远期市盈率约为7倍,低于美光的8至10倍,上市后直接与美光在同一市场竞争,或触发公司价值的重新评估,并吸引数以万亿韩元计的被动资金流入。
但持谨慎态度的市场人士则搬出了“周期见顶论”。分析评论称,在周期性的内存行业,于潜在价格顶峰大规模筹资以扩张供应,历来是行业步入下行周期的“典型前兆”。
尽管分歧重重,当前卖方分析师仍普遍看好三星电子后市。花旗上周将三星目标价上调至53万韩元,较上周五收盘价存在约71%的上行空间。从估值看,盈利的爆发式增长令三星远期市盈率仅有约5.7倍,不仅远低于费城半导体指数的近24倍,也低于美光,几乎是2007年有数据以来的最低水平,这为股价提供了一定安全边际。