花旗預測2026年內存市場將供不應求，AI需求激增是主因
投資機構花旗在週二的報告中指出，人工智能(AI)領域對內存需求的激增可能導致2026年動態隨機存取存儲器(DRAM)與NAND閃存出現供不應求的情況。
花旗分析師預計，2026年DRAM的供需比爲-1.8%，NAND闪存的供需比爲-4.0%，顯示出市場對這兩種關鍵科技商品的需求將超過供應。
隨着AI需求從“訓練”階段轉向“推理”及邊緣AI設備，普通服務器內存、移动設備DRAM，以及高帶寬、高密度NAND閃存（如基於QLC技術的企業級固態硬盤eSSD）的需求將顯著增長。
儘管傳統內存需求不斷上升，但內存供應商仍在優先投資高帶寬內存(HBM)，犧牲了傳統內存的產能投入。因此，花旗預計2026年整體內存市場的供需關係將趨緊，對內存價格形成上漲壓力。
基於這一判斷，花旗重申了對美光科技(MU.US)、SanDisk(SNDK.US)、三星及SK海力士的“買入”評級。
供需數據對比
| 內存類型 | 2026年供應量同比增長 | 2026年需求量同比增長 | 供需增速差 |
|---|---|---|---|
| DRAM | 17.5% | 20.1% | 2.6% |
| NAND閃存 | 16.5% | 21.4% | 4.9% |
分析師還補充道，預計2026年晶圓廠設備支出將同比增長11.1%，其中DRAM領域的資本支出(capex)預計同比增长12.2%，NAND闪存領域的資本支出預計同比增长9%。
