花旗预测2026年内存市场将供不应求，AI需求激增是主因
投资机构花旗在周二的报告中指出，人工智能(AI)领域对内存需求的激增可能导致2026年动态随机存取存储器(DRAM)与NAND闪存出现供不应求的情况。
花旗分析师预计，2026年DRAM的供需比为-1.8%，NAND闪存的供需比为-4.0%，显示出市场对这两种关键科技商品的需求将超过供应。
随着AI需求从“训练”阶段转向“推理”及边缘AI设备，普通服务器内存、移动设备DRAM，以及高带宽、高密度NAND闪存（如基于QLC技术的企业级固态硬盘eSSD）的需求将显著增长。
尽管传统内存需求不断上升，但内存供应商仍在优先投资高带宽内存(HBM)，牺牲了传统内存的产能投入。因此，花旗预计2026年整体内存市场的供需关系将趋紧，对内存价格形成上涨压力。
基于这一判断，花旗重申了对美光科技(MU.US)、SanDisk(SNDK.US)、三星及SK海力士的“买入”评级。
供需数据对比
| 内存类型 | 2026年供应量同比增长 | 2026年需求量同比增长 | 供需增速差 |
|---|---|---|---|
| DRAM | 17.5% | 20.1% | 2.6% |
| NAND闪存 | 16.5% | 21.4% | 4.9% |
分析师还补充道，预计2026年晶圆厂设备支出将同比增长11.1%，其中DRAM领域的资本支出(capex)预计同比增长12.2%，NAND闪存领域的资本支出预计同比增长9%。
