SK海力士高盛电话会：所有客户需求都无法满足 今年存储价格持续上涨

存储芯片市场进入“卖方市场”，海力士预计全年价格上涨

在AI需求的推动和供应瓶颈的影响下，存储芯片市场正全面进入“卖方市场”。海力士在2月20日的虚拟投资者会议上明确表示，今年所有客户的需求都无法得到完全满足，价格上涨已成定局。

海力士对今年的价格走势给出了明确的指引：受AI客户强劲需求和供应增长有限的推动，存储价格预计将在全年持续上涨。供给端的刚性约束是核心逻辑，全行业受限于洁净室空间的不足，供应增长受到物理限制。

库存降至“极低水位”，话语权向卖方转移

海力士透露，今年没有任何一家客户能够完全满足其存储需求，意味着所有终端市场的需求满足率都处于低位。从库存角度看，服务器客户的库存已达到健康水平，而PC和移动客户的库存正呈现下降趋势。海力士自身的库存已极其单薄，DRAM和NAND的库存均处于正常水平，约为4周，并预计这一水平在全年将继续下降。

极低的库存水位意味着供应商的议价能力持续增强。在此背景下，海力士透露，“正在与主要客户讨论多年期的长期合约”。

HBM产能售罄，标准型DRAM短缺成新筹码

对于市场最关注的HBM（高带宽内存），海力士明确表示，2026年的产能分配已成定局。“2026年的HBM已全部售罄，满足客户需求的生产计划已经分配完毕。”

鉴于目前的生产计划，很难在2026年对HBM和标准型DRAM的产线进行有意义的调整。然而，这种僵局反而为未来带来了利好。由于标准型DRAM目前的供需极度紧张，这为海力士在谈判桌上赢得了更多筹码。公司认为，这种紧张局势“可能会为2027年的HBM业务带来更优惠的条款”。

在制程迁移方面，海力士今年的重心明确：M15X工厂将主要致力于提升1b nm产能以支持HBM3E和HBM4。而更先进的1c nm制程，今年将主要用于标准型DRAM的大规模迁移，预计年底前1c nm将占据标准型DRAM一半以上的产能，而HBM对1c nm的大规模采用将从2027年开始。

资本开支：严守纪律，聚焦高回报

尽管面临巨大的需求缺口，海力士在资本开支上依然保持清醒。公司确认今年的资本开支将超过去年，但强调将“继续坚持资本开支纪律”。投资的优先级非常清晰：核心聚焦于HBM和标准型DRAM。对于NAND业务，虽然恢复了部分投资，但其在总资本开支中的占比将保持稳定，不会盲目扩张。