SK海力士美国存托凭证发行超额认购，全球资金聚焦“硅基通胀”

韩国存储芯片制造巨头SK海力士公司（SK Hynix Inc.）即将为其美股市场美国存托凭证（ADR）的大规模发行定价，获得超过七倍超额认购。此次出售1.779亿份美国存托凭证，吸引了全球长期多头基金、科技行业对冲基金、主权财富基金以及华尔街顶级投资机构等机构投资者的强烈需求。

根据美国证券交易委员会（SEC）的上市发行文件，每份SK海力士美股ADR发行相当于十分之一股普通股。以韩国首尔股市收盘价每股207.6万韩元（约1,380美元）计算，此次美国发行将筹集约245亿美元，低于最初计划的294亿美元。此次下调是由于股价变动，并非公司压缩融资意愿。

计划筹集金额 294亿美元
实际筹集金额 245亿美元

此次发行规模将使SK海力士跻身外国公司在美国股票市场最大规模ADR首秀之列，仅次于阿里巴巴的约250亿美元首秀。SK海力士积极寻求通过在美国股票市场上市交易来募集资金，以扩张存储芯片产能，利用全球投资者对存储芯片股票的强劲需求。

存储芯片超级周期

SK海力士的赴美上市计划与美光科技最新公布的强劲业绩和展望，强化了市场对“存储超级周期”远未结束的判断。这一周期已从传统PC/智能手机周期升级为AI数据中心主导的结构性稀缺超级周期。全球投资者愿意为“存储芯片供给瓶颈”支付高溢价。

SK海力士股价在韩国下跌5.7%，较6月下旬创纪录收盘高点下跌30%，尽管仍约为年初股价水平的三倍。此次美股ADR发行由美国银行、花旗集团、高盛集团和摩根大通牵头，另有九家机构参与。

牵头机构 美国银行、花旗集团、高盛集团、摩根大通
参与机构数量 九家

SK海力士已从Baillie Gifford、Coatue Management和Situational Awareness Partners等全球顶级投资机构获得强劲认购意向，认购规模最高可达70亿美元。

AI数据中心建设与投资

SK海力士及其长期竞争对手三星电子准备在韩国政府主导的价值8800亿美元的投资倡议下，加大在AI数据中心建设及存储芯片产能扩张的投资。

SK海力士的ADR定于周五在美股纳斯达克全球精选市场以代码“SKHYV”进行发行前交易，7月13日开始常规交易时，交易代码将变更为“SKHY”。

SK海力士是向英伟达等AI芯片领军者供应高带宽内存（HBM存储系统）的核心供应商，成为全球最大规模HBM市场份额供应商。

三星电子Q2营业利润同比飙升约19倍，预计达89.4万亿韩元（约合584亿美元），刷新季度历史记录，较上季度增长56%。

三星电子Q2营业利润 89.4万亿韩元（约合584亿美元）
同比增长 19倍
环比增长 56%

TrendForce数据显示，2026年一季度传统DRAM合约价环比上涨约93%–98%，推动DRAM行业营收环比增长81%至970亿美元。预计2026年二季度传统DRAM合约价环比再涨58%–63%，NAND Flash合约价环比上涨70%–75%。

全球资金转向AI算力基础设施相关的硅片高端制造链条，寻求“硅基通胀”。

瑞银集团建议投资者购买SK海力士的美股ADR，并卖出其在韩国股票市场交易的股票，因为新发行证券可能会以溢价模式进行交易。