三星Q2利潤驟降56%超預期，英偉達(NVDA.US)HBM3E認證受阻成主因

三星電子第二季度營業利潤同比驟降56%，HBM3E認證受阻成主因

三星電子第二季度業績遭遇滑鐵盧，初步數據顯示，營業利潤同比驟降56%至4.6萬億韓元（約合33億美元），遠超分析師預期的41%降幅。這也是該公司自2023年第一季度以來首次出現利潤下滑。儘管當季營收達74萬億韓元，但庫存積壓帶來的成本壓力成爲拖累業績的關鍵因素。完整財報將於本月下旬披露淨利潤及各業務部門具體數據。

業績承壓背後：人工智能芯片領域關鍵突破受阻

業績承壓的背後，是三星在人工智能芯片領域的關鍵突破受阻。作爲驅動英偉達(NVDA.US)AI加速器核心組件的高帶寬內存(HBM)芯片市場，三星最先進的12層HBM3E產品至今未獲得英偉達認證，而競爭對手SK海力士已藉此佔據市場先機，美國美光科技(MU.US)也在加速擴張。調查顯示，三星芯片部門第二季度營業利潤預計爲2.7萬億韓元，雖較上一季度1.1萬億韓元有所回升，但仍不及去年同期的6.5萬億韓元。

今年4月，三星曾釋放積極信號，稱已向主要客戶交付升級版HBM3E樣品並預計次季度實現量產，同時計劃下半年啓動下一代HBM4芯片生產。然而現實情況不容樂觀：SK海力士已搶先向客戶交付全球首批12層HBM4樣品，美光緊隨其後於6月跟進，三星則因設計調整延誤了認證進程。儘管三星近期獲得AMD(AMD.US)的HBM訂單，與美光共同成爲其供應商，但未能拿下英偉達這個AI芯片領域最大客戶的HBM3E早期認證，仍使其在市場份額爭奪中處於被動。

市場研究機構預測

市場研究機構伯恩斯坦分析指出，三星12層HBM3E的認證時間已從原預期的第二季度推遲至第三季度，其HBM市場份額預測也相應下調。該機構預計，到2025年SK海力士仍將以57%的佔有率保持領先，但三星(27%)和美光(16%)的追趕將使市場格局更趨均衡。三星芯片業務負責人全永鉉在3月股東大會上承認，HBM市場的早期失利導致落後於SK海力士，並承諾在HBM4領域絕不再重蹈覆轍，這款下一代內存將應用於英偉達的Rubin GPU架構。

大信證券分析師認爲，儘管認證時間表存在不確定性，但三星仍有望在2025年第三季度實現HBM4量產。當前，這家韓國科技巨頭正面臨前所未有的競爭壓力，如何在AI內存領域實現技術突破與市場突圍，將成爲其扭轉業績頹勢的關鍵。